Mẫu
KV-700
Loại
Khối CPU
Thông số kỹ thuật chung
Điện áp nguồn
24 VDC (±10%)
Nhiệt độ xung quanh khi vận hành
0 đến 50 °C (không đóng băng)*1*2
Độ ẩm tương đối
35 đến 85 % RH (không ngưng tụ)*1
Độ cao
-20 đến +70 °C*1
Môi trường vận hành
Tốt nhất trong môi trường ít bụi và khí ăn mòn
Độ cao
Từ 2,000 m trở xuống
Loại trừ tạp nhiễu
Vp-p từ 1,500 trở lên độ rộng xung 1 µs, 50 ns (dựa theo mô phỏng tiếng ồn), Phù hợp tiêu chuẩn IEC (IEC61000-4-2/3/4/6)
Điện áp chống chịu
1,500 VAC cho 1 phút giữa đầu cuối nguồn điện và đầu cuối vào/ra hoặc đầu cuối và vỏ bọc phụ
Cách điện
Trên 50 MΩ (được tính giữa đầu cuối nguồn điện và đầu cuối vào/ra hoặc đầu cuối bên ngoài và vỏ bọc với mêgôm kế 500 V DC)
Loại quá áp
II (Khi sử dụng KV-U7)
Mức độ ô nhiễm
2
Đặc điểm kỹ thuật chung
Chống chịu va đập
Rung động cách quãng
Tần số 10 đến 57 Hz
Nửa biên độ: 0,075 mm*3
Tần số 57 đến 150 Hz
Gia tốc: 9,8 m/s2*3
Rung động liên tục
Tần số 10 đến 57 Hz
Nửa biên độ: 0,035 mm*3
Tần số 57 đến 150 Hz
Gia tốc: 4,9 m/s2*3
Đặc điểm kỹ thuật thực hiện
Chế độ kiểm soát hoạt động
Chế độ chương trình lưu trữ
Chế độ điều khiển vào/ra
Chế độ refresh
Ngôn ngữ lập trình
Sơ đồ dạng thang mở rộng, dễ nhớ
Số lệnh
Hướng dẫn cơ bản: 67 class, 122 hướng dẫn
Hướng dẫn áp dụng: 19 class, 19 hướng dẫn
Hướng dẫn hoạt động toán học: 64 class, 294 hướng dẫn
Hướng dẫn mở rộng: 31 class, 48 hướng dẫn
Tổng cộng: 181 class, 483 hướng dẫn
Tốc độ thực hiện lệnh
Hướng dẫn cơ bản: Tối thiểu 100 ns
Hướng dẫn áp dụng: Tối thiểu 100 ns
Dung lượng chương trình
Xấp xỉ 16 k bước (Xấp xỉ 32 k bước để mở rộng bộ nhớ)
Số lượng khối cài đặt tối đa
16 khối (48 khối khi kết nối khối mở rộng)
Số lượng điểm vào/ra tối đa
Tối đa 3,086 điểm khi mở rộng (KV-EB1S/KV-EB1R: khi mở rộng 2 khối, sử dụng khối vào/ra 64 điểm)
Thiết bị bit
Rơ le ngõ vào R
Tổng cộng 9,530 điểm 1 bit
Rơ le ngõ ra R
Rơ le hỗ trợ trong R
Điều khiển rơ le CR
640 điểm 1 bit
Thiết bị từ
Bộ hẹn giờ T
Tổng cộng 512 điểm 32 bit
Bộ đếm C
Bộ nhớ dữ liệu DM
20,000 điểm 16 bit (Khi mở rộng bộ nhớ, 40,000 điểm 16 bit)
Bộ nhớ dữ liệu tạm thời TM
512 điểm 16 bit
Bộ đếm tốc độ cao CTH
2 điểm 32 bit
Bộ so sánh đếm tốc độ cao CTC
4 điểm 32-bit (adopt bộ đếm tốc độ cao 2 điểm)
Bộ nhớ điều khiển CM
4,000 điểm 16 bit
Định vị xung ngõ ra
2 điểm (tần số ngõ ra tối đa 100 kHz)
Ngõ vào/ra khối CPU
Ngõ vào: 10 điểm, ngõ ra: 4 điểm
Chức năng duy trì mất điện
Bộ nhớ chương trình
Bộ nhớ cực nhanh ghi được gấp 100,000 lần
Thiết bị
Dựa vào pin 5 năm (nhiệt độ môi trường xung quanh hoạt động 25 °C, trong chế độ giữ mất điện)*4
Đặc điểm kỹ thuật hiệu suất
Chức năng tự chẩn đoán
CPU bất thường, RAM bất thường, khác
Dòng điện tiêu thụ trong
Khối CPU: từ 160 mA trở xuống
Khối mở rộng: KV-EB1S từ 15 mA trở xuống, KV-EB1R từ 25 mA trở xuống (Ngoại trừ dòng diện ổ đĩa đối với vòng ngõ vào)
Khối lượng
Khối CPU: KV-700 Xấp xỉ 240 g, Bộ nhớ mở rộng dành cho KV-700 (OP-42138) Xấp xỉ 10 g
Khối đầu cuối: Xấp xỉ 30 g, Khối bắt đầu dành cho KV-1000/700: Xấp xỉ 30
Khối mở rộng: KV-EB1S Xấp xỉ 90 g, KV-EB1R Xấp xỉ 115 g
*1 Phạm vi mà hệ thống được sử dụng.
*2 Theo nhiệt độ phía dưới của các khối trong bảng điều khiển.
*3 Theo JIS B 3502 IEC61131-2, Số lần quét: 10 lần theo các hướng X/Y/Z (trong 100 phút)
*4 Thiết bị mục tiêu R/LR/CR/T/C/DM/EM/FM/CTH/CTC/CM
