Mẫu
KV-5000
Loại
Khối CPU
Thông số kỹ thuật chung
Điện áp nguồn
24 VDC (±10%)
Nhiệt độ xung quanh khi vận hành
0 đến 50 °C (không đóng băng)*1*2
Độ ẩm tương đối
10 đến 95 % RH (không ngưng tụ)*1
Độ cao
-20 đến +70 °C*1
Môi trường vận hành
Tốt nhất trong môi trường ít bụi và khí ăn mòn
Độ cao
Cực đại 2000 m
Loại trừ tạp nhiễu
Vp-p từ 1,500 trở lên độ rộng xung 1 µs, 50 ns (dựa theo mô phỏng tiếng ồn), Phù hợp tiêu chuẩn IEC (IEC61000-4-2/3/4/6)
Điện áp chống chịu
1,500 VAC cho 1 phút giữa đầu cuối nguồn điện và đầu cuối vào/ra hoặc đầu cuối và vỏ bọc phụ
Cách điện
Trên 50 MΩ (được tính giữa đầu cuối nguồn điện và đầu cuối vào/ra hoặc đầu cuối bên ngoài và vỏ bọc với mêgôm kế 500 V DC)
Loại quá áp
II (Khi sử dụng KV-U7)
Mức độ ô nhiễm
2
Đặc điểm kỹ thuật chung
Chống chịu va đập
Rung động cách quãng
Tần số 5 đến 9 Hz
Nửa biên độ: 3,5 mm*3
Tần số 9 đến 150 Hz
Gia tốc: 9,8 m/s2*3
Rung động liên tục
Tần số 5 đến 9 Hz
Nửa biên độ: 1,75 mm*3
Tần số 9 đến 150 Hz
Gia tốc: 4,9 m/s2*3
Đặc điểm kỹ thuật thực hiện
Chế độ kiểm soát hoạt động
Chế độ chương trình lưu trữ
Chế độ điều khiển vào/ra
Chế độ refresh
Ngôn ngữ lập trình
Sơ đồ dạng thang mở rộng, Tập lệnh KV, ký hiệu dễ nhớ
Số lệnh
Hướng dẫn cơ bản: 81 class, 171 hướng dẫn
Hướng dẫn áp dụng: 43 class, 60 hướng dẫn
Hướng dẫn hoạt động toán học: 115 class, 293 hướng dẫn
Hướng dẫn mở rộng: 96 class, 142 hướng dẫn
Tổng cộng: 335 class, 666 hướng dẫn
Tốc độ thực hiện lệnh
Hướng dẫn cơ bản: Tối thiểu 10 ns
Hướng dẫn áp dụng: Tối thiểu 20 ns
Dung lượng chương trình
Xấp xỉ 260 k bước
Số lượng khối cài đặt tối đa
16 khối (48 khối khi kết nối khối mở rộng)
Số lượng điểm vào/ra tối đa
Tối đa 3,096 điểm khi mở rộng (KV-EB1S/KV-EB1R: khi mở rộng 2 khối, sử dụng khối vào/ra 64 điểm)
Thiết bị bit
Rơ le ngõ vào R
Tổng cộng 16,000 điểm 1 bit
Rơ le ngõ ra R
Rơ le hỗ trợ trong R
Rơ le liên kết B
Tổng cộng 16,384 điểm 1 bit
Rơ le hỗ trợ trong MR
Tổng cộng 16,000 điểm 1 bit
Rơ le chốt LR
Điều khiển rơ le CR
640 điểm 1 bit
Thiết bị từ
Bộ hẹn giờ T
4,000 điểm 32 bit
Bộ đếm C
Bộ nhớ dữ liệu DM
65,535 điểm 16 bit
Bộ nhớ dữ liệu mở rộng EM
Đăng ký tập tin
chế độ chuyển mạch ngân hàng bộ nhớ FM
32,768 điểm × 4 ngân hàng bộ nhớ 16 bit
Chế độ quay ZF
131,072 điểm 16 bit
Đăng ký liên kết W
Tổng cộng 16,384 điểm 16 bit
Bộ nhớ dữ liệu tạm thời TM
512 điểm 16 bit
Bộ đếm tốc độ cao CTH
2 điểm 32 bit
Bộ so sánh đếm tốc độ cao CTC
4 điểm 32-bit (adopt bộ đếm tốc độ cao 2 điểm)
Đăng ký chỉ số Z
12 điểm 32 bit
Bộ nhớ điều khiển CM
6,000 điểm 16 bit
Định vị xung ngõ ra
2 điểm (tần số ngõ ra tối đa 100 kHz)
Ngõ vào/ra khối CPU
Ngõ vào: 16 điểm, ngõ ra: 8 điểm
Chức năng duy trì mất điện
Bộ nhớ chương trình
Bộ nhớ cực nhanh ghi được gấp 100,000 lần
Thiết bị
Dựa vào pin 5 năm (nhiệt độ môi trường xung quanh hoạt động 25 °C, trong chế độ giữ mất điện)*4
Đặc điểm kỹ thuật hiệu suất
Chức năng tự chẩn đoán
CPU bất thường, RAM bất thường, khác
Dòng điện tiêu thụ trong
Khối CPU: từ 320 mA trở xuống
Khối mở rộng: KV-EB1S từ 15 mA trở xuống, KV-EB1R từ 25 mA trở xuống (Ngoại trừ dòng diện ổ đĩa đối với vòng ngõ vào)
Khối lượng
Khối CPU: Xấp xỉ 320 g
Khối đầu cuối: Xấp xỉ 30 g, Khối bắt đầu dành cho KV-5500/5000/3000: Xấp xỉ 20 g
Khối mở rộng: KV-EB1S Xấp xỉ 90 g, KV-EB1R Xấp xỉ 115 g
*1 Phạm vi mà hệ thống được sử dụng.
*2 Theo nhiệt độ phía dưới của các khối trong bảng điều khiển.
*3 Theo JIS B 3502 IEC61131-2, Số lần quét: 10 lần theo các hướng X/Y/Z (trong 100 phút)
*4 Thiết bị mục tiêu R/LR/CR/T/C/DM/EM/FM/CTH/CTC/CM
